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       Terasense的相機探測器部分基于 GaAs 異質(zhì)結高效的載流子遷移率，利用傳統光刻蝕的方法制造。成像傳感器制做在一個(gè)單獨的晶圓上。 整個(gè)過(guò)程確保了等離子體探測器各項參數的穩定性和高的響應度（像素-像素之間的響應度偏離 20%之內） 。每個(gè)獨立的探測單元在室溫下的響應度高達 50KV/W，在 10GHz-1THz 之間的噪聲等效功率為 1nW/Hz 1/2 。探測器的探測機制是基于在二維電子系統中入射太赫茲與等離子體振蕩的轉化過(guò)程。

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